Максимальная мощность, отдаваемая транзистором в нагрузку

Максимальная мощность, отдаваемая транзистором в нагрузку, зависит от многих факторов. Теоретически, величина этой мощности не может превысить значения Р_{1 мак},

Р_{1 макс} = 0,5 a₁(q)I_{к макс}U_п(1– I_кмакс/ S_крU_п.)

Выходная мощность ограничена и максимально допустимой мощностью рассеяния на коллекторе Р_{к макс}.

Полевые (канальные) транзисторы имеют ряд преимуществ перед биполярными. В первую очередь, это меньшая зависимость параметров от температуры, что увеличивает надежность работы устройства. Вторым достоинством полевых транзисторов является большая величина входного сопротивления в схеме с общим истоком и емкостный характер его. Важным достоинством полевого транзистора  является отсутствие в нем процессов, определяющих его инерционную нелинейность. Эти особенности позволяют считать полевой транзистор как «полупроводниковую лампу» с низковольтным питанием.

Благодаря более низкому уровню шумов может быть достигнута более высокая, чем у биполярных транзисторов, кратковременная нестабильность частоты, а за счет меньшего влияния температуры – долговременная.

В настоящее время выпускаются два класса полевых транзисторов: с затвором на основе управляемого p – n перехода или барьера Шоттки и МДП – транзисторы. Транзисторы с управляемым переходом имеют меньшие емкости и рабочие частоты до 10... 12 ГГц, МДП– транзисторы позволяют получить с одного корпуса мощность  порядка  100 Вт, но из–за большой входной емкости имеют рабочие частоты до 100 МГц.