Образование сопротивлений X1 и X2 частями индуктивности

Сопротивления Х1,Х2 образуются частями индуктивности L1,2; индуктивность L3 совместно с емкостью С3 имеет сопротивление емкостного характера.

Начальное смещение снимается с  делителя R1,R2, на резисторах Rб и Rэ создается падение напряжения от  токов базы и эмиттера. Такая схема называется комбинированной и имеет хорошую температурную стабильность. Применение автоматического смещения облегчает самовозбуждение АГ и улучшает его энергетические характеристики.

Начальное смещение обеспечивает режим  ²мягкого² самовозбуждения при небольших амплитудах колебаний, переходящий затем, при возрастании амплитуды колебаний, в режим ²жесткого² самовозбуждения.

В трехточечных схемах применяют  неполное включение контура в коллекторную цепь, для того, чтобы при обычных значениях характеристического сопротивления контура r= 200...500 Ом и при добротности Q= 50... 100 можно было обеспечить режим, близкий к критическому. Для биполярных транзисторов R_{н кр}» 100...500 Ом, для полевых транзисторов»1000 Ом; при этом коэффициенты включения р составят не более 0,1 и 0.5 соответственно, а коэффициент обратной связи k=8Р_ном/Se_п2» 0,1.

При k» 0,1, р» 0,1 емкость С1» 10С3,С2» 10С1. При r» 500 Ом значение С3 в пикофарадах численно равно длине волны генерации l_г в метрах, индуктивность L3 = rl_г/ 1885 (мкГн).При увеличении емкостей С1и С2 связь с контуром уменьшается, уменьшается и влияние нестабильности его параметров на частоту.