Основная схема включения транзистора

Основной схемой включения является схема с общим истоком (ОИ), обеспечивающая большое усиление при достаточной устойчивости работы. Схема с общим стоком (ОС) применяется, когда необходимо получить малую входную емкость каскада. Если взять для примера, емкость «затвор – исток» С_зи = 10 пФ, емкость «затвор– сток» С_зс= 2 пФ, емкость монтажа С_м = 2 пФ и К_u= 50, то входная емкость каскада с ОИ С_вх = С _зи+ (1+К_u)С_зс+ С_м составит 114 пФ, причем определяющим будет второе слагаемое, а в схеме с ОС С _вх= С _зс+ (1-К_u)С_зи+ С_м– только 5,5 пФ.

Инерционность транзистора, связанную с конечным временем пролета носителей через канал и индуктивность выводов  можно не учитывать, так как работоспособность транзистора ограничивается влиянием емкостей на значительно низких частотах.

Работа АЭ в оптимальном (критическом) режиме требует определенного сопротивления нагрузки R_{н кр}. Однако в общем случае реальное сопротивление нагрузки R_н отличается от  R_{н кр}. Для получения максимальной мощности в нагрузке необходимо согласование нагрузочной системы с входным сопротивлением фидера, так как только при этом на этом участке можно обеспечить режим бегущих волн. При этом в ламповых ГВВ стоит задача согласования высокого внутреннего сопротивления АЭ с относительно низким сопротивлением нагрузки, а в транзисторных– трансформации сопротивлений примерно одного порядка.

Выводы:

– любой ГВВ содержит активный элемент (АЭ), цепи возбуждения, нагрузки и питания ;

– преобразование энергии источника питания Е_п в энергию ВЧ–колебаний происходит в выходной цепи ГВВ;

– для увеличения КПД можно применять режим с негармоническим напряжением на выходе АЭ;

– генераторные лампы, используемые в каскадах РПДУ, выбирают по совокупности параметров: по заданной мощности, отдаваемой каскадом, его рабочей частоте, виду модуляции, виду включения ламп (с общим катодом, общей сеткой; одно– или двухтакное), виду колебательной системы, возможных напряжений питания;

– в качестве  генераторных транзисторов используются как биполярные, так и полевые транзисторы;

– полевые (канальные) транзисторы  имеют ряд преимуществ перед биполярными: меньшая зависимость параметров от температуры, большая величина входного сопротивления в схеме с общим истоком и емкостный характер его,отсутствие в нем процессов, определяющих его инерционную нелинейность;

– работа АЭ в оптимальном (критическом) режиме требует определенного сопротивления нагрузки R_{н кр}.