Соотношения между параметрами ГВВ и УЧ

Соотношения между параметрами ГВВ и УЧ существенно зависят от того, какие допустимые параметры НЭ ограничивают его полезную мощность. Если в обоих устройствах транзистор работает в критическом режиме с одинаковыми значениями Е_п, I_км ξ_кр. Принимаем  Θ₁=90^О, Θ_N= 120^О/N.

В этом случае КПД УЧ практически постоянный для разных N. Критический режим УЧ имеет место при R_нN в N раз больше и при амплитуде возбуждения примерно в 0,5N² большей, чем в ГВВ. Кроме этого, при больших N, обратное напряжение на базе, необходимое для обеспечения необходимого угла отсечки, становится больше допустимого. С учетом влияния коллекторного напряжения на токи, энергетические показатели УЧ еще больше ухудшаются

В отсутствии емкости С_ка токи транзистора определяются только напряжением базы. Инерционность транзистора приводит к искажению формы импульсов базового и коллекторного токов. Импульс коллекторного тока уменьшается по высоте и расширяется. Чтобы сохранить высокочастотный угол отсечки близким к оптимальному ,приходится увеличивать напряжение возбуждения и напряжение смещения. Ток базы в течение части периода меняет знак, а наибольшее значение его в прямом направлении возрастает с повышением частоты.